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J-GLOBAL ID：200902182047226000   Reference number：00A0286141

pn-junction delineation in Si devices using scanning capacitance spectroscopy.

走査型キャパシタンス分光法によるSi系素子のPN接合の描出

Author (9)： EDWARDS H (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  UKRAINTSEV V A (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  MARTIN R S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  JOHNSON F S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  MENZ P (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  WALSH S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  ASHBURN S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  WILLS K S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  CHANG M-C (Texas Instruments, Inc., Texas)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 87  Issue： 3  Page： 1485-1495  Publication year： Feb. 01, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： scanning probe microscope ,...
Semi thesaurus term： 走査型キャパシタンス分光法

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JST classification (2)： Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 走査型 ,  キャパシタンス ,  分光法 ,  Si ,  PN接合 ,  描出