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J-GLOBAL ID：200902183104238849   Reference number：99A0420084

CMOS Metal Replacement Gate Transistors using Tantalum Pentoxide Gate Insulator.

五酸化タンタルゲート絶縁体を用いたCMOSメタル置換ゲートトランジスタ

Author (9)： CHATTERJEE A (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  CHAPMAN R A (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  OTOBE M (Texas Instruments, JPN) ,  FANG S J (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  AUR S-W (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  TSAI H-L (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  JONES P (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  AOKI M (Texas Instruments, JPN) ,  CHEN I-C (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1998  Page： 777-780  Publication year： 1998 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： gate insulator ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 五酸化タンタル ,  ゲート絶縁体 ,  CMOS ,  メタル ,  置換 ,  ゲート ,  トランジスタ