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J-GLOBAL ID：200902183418599846   Reference number：98A0793885

A study of initial growth mechanism of c-GaN on GaAs(100) by molecular beam epitaxy.

分子ビーム・エピタキシーによるGaAs(100)上のc-GaNの初期成長機構に関する調査

Author (7)： KIMURA R (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  GOTOH Y (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  NAGAI T (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  UCHIDA Y (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  MATSUZAWA T (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  TAKAHASHI K (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  SCHULZ C-G (Paul-Drude-Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 406-410  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 分子ビーム ,  エピタキシー ,  GaAs ,  GaN ,  初期成長 ,  調査