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J-GLOBAL ID：200902184225335767   Reference number：97A0627031

NIST Comparison of the Quantized Hall Resistance and the Realization of the SI OHM Through the Calculable Capacitor.

量子化Hall抵抗と計算可能なキャパシタによるSIオームの実現とのNISTの比較

Author (5)： JEFFERY A-M (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  ELMQUIST R E (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  LEE L H (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  SHIELDS J Q (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  DZIUBA R F (National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
Material： IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement  (IEEE Trans Instrum Meas)
Volume： 46  Issue： 2  Page： 264-268  Publication year： Apr. 1997 
JST Material Number： C0232A  ISSN： 0018-9456  CODEN： IEIMAO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum Hall effect ,...
Semi thesaurus term： 量子化Hall抵抗

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JST classification (2)： Measuring methods and instruments of R,L,C,Q, and dielectric constant  (AD07030N) ,  General theory of electronic transport  (BM03020C)

Terms in the title (7)： 量子化 ,  Hall抵抗 ,  計算 ,  キャパシタ ,  Si ,  オーム ,  NIST