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J-GLOBAL ID：200902184306849447   Reference number：94A0476294

Development of FIN STC using New Rugged Poly-Si Technology for 256MbDRAMs. (II).

新粗面Poly-Si技術を用いた256MbDRAM対応セルの開発 (II)

Author (6)： OGIHARA HIDETOSHI (沖電気工業) ,  YOSHIMARU MASAKI (沖電気工業) ,  TAKASE SHUNJI (沖電気工業) ,  TAMURA HIROYUKI (沖電気工業) ,  KUROGI HIROO (沖電気工業) ,  KITA AKIO (沖電気工業)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 41st  Issue： Pt 2  Page： 670  Publication year： Mar. 1994 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 粗面 ,  Si ,  セル ,  開発