Art

J-GLOBAL ID：200902184414350475   Reference number：00A0544421

New Process for Si Nanopyramid Array (NPA) Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching.

イオンビーム照射とウェットエッチングによるSiナノピラミッドアレイ(NPA)製作の新プロセス

Author (6)： KOH M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWARA S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  GOTO T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ANDO Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINADA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OHDOMARI I (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 4B  Page： 2186-2188  Publication year： Apr. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion irradiation ,...
Semi thesaurus term： *planar array antenna

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0544421&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (18)：

• 1) S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom: Science 272 (1996) 85.
• 2) J. Itoh: Appl. Surf. Sci. 111 (1997) 194.
• 3) H. Masuda and K. Fukuda: Science 268 (1995) 1466.
• 4) C. Y. Chang and S. M. Sze: ULSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1996).
• 5) M. Iwatsuki, S. Kitamura, T. Sato and T. Sueyoshi: Appl. Surf. Sci. 60/61 (1992) 580.

Terms in the title (8)： イオンビーム照射 ,  ウェットエッチング ,  Si ,  ナノピラミッド ,  アレイ ,  NPA ,  製作 ,  プロセス