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J-GLOBAL ID：200902184455538306   Reference number：00A0715426

Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8nm gate electrically variable shallow junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

8nmゲートの電気的に可変な浅い接合の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるソース-ドレイン直接トンネリング電流の観測

Author (3)： KAWAURA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  BABA T (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 25  Page： 3810-3812  Publication year： Jun. 19, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ゲート ,  浅い接合 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  直接トンネリング ,  観測