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J-GLOBAL ID：200902184545524410   Reference number：97A0711126

Low-Threshold Proton-Implanted 1.3-μm Vertical-Cavity Top-Surface-Emitting Lasers with Dielectric and Wafer-Bonded GaAs-AlAs Bragg Mirrors.

誘電体及びウエハ埋め込みGaAs-AlAs Bragg反射鏡をもつ,低しきい値プロトン注入1.3μm垂直空洞の頂部表面発光レーザ

Author (9)： QIAN Y (Cornell Univ., NY, USA) ,  ZHU Z H (Cornell Univ., NY, USA) ,  LO Y H (Cornell Univ., NY, USA) ,  HUFFAKER D L (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  DEPPE D G (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  HOU H Q (Sandia National Lab., NM, USA) ,  HAMMONS B E (Sandia National Lab., NM, USA) ,  LIN W (Chunghwa Telecom Co., TWN) ,  TU Y K (Chunghwa Telecom Co., TWN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 9  Issue： 7  Page： 866-868  Publication year： Jul. 1997 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface emitting laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (13)： 誘電体 ,  ウエハ ,  埋め込み ,  GaAs ,  AlAs ,  Bragg反射鏡 ,  しきい値 ,  プロトン ,  注入 ,  垂直 ,  空洞 ,  頂部 ,  面発光レーザ