Art

J-GLOBAL ID：200902184567608544   Reference number：03A0067186

Fabrication of GaAs MISFET With nm-Thin Oxidized Layer Formed by UV and Ozone Process.

UVおよびオゾンプロセスにより形成したnm厚の酸化薄膜を有するGaAs MISFETの作成

Author (7)： IIYAMA K (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KITA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  OHTA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  NASUNO M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  TAKAMIYA S (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  HIGASHIMINE K (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  OHTSUKA N (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 49  Issue： 11  Page： 1856-1862  Publication year： Nov. 2002 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MISFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： オゾン ,  プロセス ,  厚 ,  酸化 ,  薄膜 ,  GaAs ,  MISFET