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J-GLOBAL ID：200902184587735178   Reference number：98A0551284

Strong normal-incidence infrared absorption and photo-current spectra from highly uniform (In,Ga)As/GaAs quantum dot structures.

極めて均質な(In,Ga)As/GaAs量子ドットからの強い通常入射(Normal-incidence)赤外線に対する吸収及び光電流スペクトル

Author (3)： PAN D (Univ. Virginia, VA, USA) ,  TOWE E (Univ. Virginia, VA, USA) ,  KENNERLY S (Army Res. Lab., MD, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 34  Issue： 10  Page： 1019-1020  Publication year： May. 14, 1998 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： Ga ,  GaAs ,  量子ドット ,  赤外線 ,  光電流スペクトル