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J-GLOBAL ID：200902184836725935   Reference number：93A0319854

Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for Power Devices.

パワーデバイス用6H-SiC,3C-SiCとSiの比較

Author (2)： BHATNAGAR M (North Carolina State Univ., NC) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 40  Issue： 3  Page： 645-655  Publication year： Mar. 1993 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： パワーデバイス ,  6H-SiC ,  3C-SiC ,  Si