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J-GLOBAL ID：200902184874010788   Reference number：95A0890957

Relationship between self-organization and size of InAs islands on InP(001) grown by gas-source molecular beam epitaxy.

ガスソース分子ビームエピタクシーにより成長させたInP(001)上のInAsの島の自己組織化とサイズとの関係

Author (5)： PONCHET A (Centre d’Elaboration de Mat<span style=text-decoration:overline>e ́</span>riaux et d’Etudes Structurales, CNRS, Toulouse, FRA) ,  LE CORRE A (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  L'HARIDON H (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  LAMBERT B (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  SALAUEN S (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 13  Page： 1850-1852  Publication year： Sep. 25, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium arsenide ,...
Semi thesaurus term： gas-source MBE

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： ガスソース分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InP ,  InAs ,  島 ,  自己組織化 ,  サイズ