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J-GLOBAL ID：200902184896425809   Reference number：99A0484037

Nanoscale GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors fabricated using nanoimprint lithography.

ナノインプリントリソグラフィーを用いて作製したナノスケールGaAs金属-半導体-金属光検出器

Author (3)： YU Z (Princeton Univ., New Jersey) ,  SCHABLITSKY S J (Princeton Univ., New Jersey) ,  CHOU S Y (Princeton Univ., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 74  Issue： 16  Page： 2381-2383  Publication year： Apr. 19, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodetector ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence ,...

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JST classification (2)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： ナノインプリントリソグラフィー ,  作製 ,  ナノスケール ,  GaAs ,  光検出器