Art

J-GLOBAL ID：200902184902563364   Reference number：01A0509305

Height dispersion control of InAs/InP quantum dots emitting at 1.55μm.

1.55μmで発光するInAs/InP量子ドットにおける高さ分散の制御

Author (7)： PARANTHOEN C (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  BERTRU N (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  DEHAESE O (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LE CORRE A (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LOUALICHE S (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LAMBERT B (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  PATRIARCHE G (France Telecom, Bagneux, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 12  Page： 1751-1753  Publication year： Mar. 19, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0509305&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： InAs ,  InP ,  量子ドット ,  高さ