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J-GLOBAL ID：200902185357682683   Reference number：99A0864391

Anomalous Large Thermoelectric Power of the Si and Au Doped Ge Superlattice Thin Film.

Si及びAuドープGe超格子薄膜の異常に大きい熱起電力

Author (4)： OKAMOTO Y (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  UCHINO H (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  KAWAHARA T (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  MORIMOTO J (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 8B  Page： L945-L947  Publication year： Aug. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Germanium ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (15)：

• 1) L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B47 (1993) 16631.
• 2) L. D. Hicks, T. C. Harman, X. Sun and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B53 (1996) 10493.
• 3) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 100.
• 4) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Phys. Rev. B51 (1995) 13797.
• 5) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2834.

Terms in the title (7)： Si ,  Au ,  ドープ ,  Ge ,  超格子 ,  薄膜 ,  熱起電力