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J-GLOBAL ID：200902185736300518   Reference number：01A0108897

Application of atomic-force-microscope direct patterning to selective positioning of InAs quantum dots on GaAs.

GaAs上へのInAs量子ドットの選択的位置づけへの原子間力顕微鏡による直接的パターン化の応用

Author (8)： HYON C K (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI S C (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SONG S-H (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG S W (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  SON M H (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  AHN D (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  PARK Y J (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KIM E K (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 16  Page： 2607-2609  Publication year： Oct. 16, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaAs ,  InAs量子ドット ,  原子間力顕微鏡 ,  パターン化 ,  応用