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J-GLOBAL ID：200902185814004068   Reference number：02A0397793

Silicon Single-Electron Transistors With Sidewall Depletion Gates and Their Application to Dynamic Single-Electron Transistor Logic.

側壁空乏型ゲートを持つシリコン単一電子トランジスタとダイナミック単一電子トランジスタ論理回路への応用

Author (8)： KIM D H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SUNG S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM K R (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J D (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK B-G (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI B H (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  HWANG S W (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  AHN D (Univ. Seoul, Seoul, KOR)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 49  Issue： 4  Page： 627-635  Publication year： Apr. 2002 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron transistor ,...
Semi thesaurus term： ディプリーション型

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 側壁 ,  ゲート ,  シリコン ,  単一電子トランジスタ ,  論理回路 ,  応用