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J-GLOBAL ID：200902185874632556   Reference number：96A0575752

Self-organized growth of GaAs/InAs heterostructure nanocylinders by organometallic vapor phase epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによるGaAs/InAsヘテロ構造ナノ円柱の自己組織化成長

Author (4)： HIRUMA K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MURAKOSHI H (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAZAWA M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KATSUYAMA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 163  Issue： 3  Page： 226-231  Publication year： Jun. 1996 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs ,  InAs ,  ヘテロ構造 ,  円柱 ,  自己組織化 ,  成長