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J-GLOBAL ID：200902185911956669   Reference number：96A0641019

Nanometer-Scale Creation and Characterization of Trapped Charge in SiO₂ Films Using Ballistic Electron Emission Microscopy.

SiO₂膜中におけるトラップ電荷の弾道電子放出顕微鏡観察を用いたナノメータスケール形成及び特徴付け

Author (3)： KACZER B (Ohio State Univ., Ohio) ,  MENG Z (Ohio State Univ., Ohio) ,  PELZ J P (Ohio State Univ., Ohio)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 77  Issue： 1  Page： 91-94  Publication year： Jul. 01, 1996 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： SiO2 ,  トラップ電荷 ,  弾道電子放出顕微鏡 ,  観察