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J-GLOBAL ID：200902187453941587   Reference number：00A0767855

The Effect of Surface Passivation on the Microwave Characteristics of Undoped AlGaN/GaN HEMT’s.

アンドープAlGaN/GaN HEMTのマイクロ波特性におよぼす表面パッシベーションの効果

Author (6)： GREEN B M (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHU K K (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHUMBES E M (Cornell Univ., NY, USA) ,  SMART J A (Cornell Univ., NY, USA) ,  SHEALY J R (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., NY, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 21  Issue： 6  Page： 268-270  Publication year： Jun. 2000 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： power

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  マイクロ波特性 ,  パッシベーション