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J-GLOBAL ID：200902187543423003   Reference number：98A0863256

Enhancement of low-field-magnetoresistive response of tunnel-type magnetoresistance in metal-nonmetal granular thin films.

金属-非金属グラニュラ薄膜におけるトンネル型磁気抵抗の低磁場磁気抵抗応答の増強

Author (6)： KOBAYASHI N (Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN) ,  OHNUMA S (Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN) ,  MURAKAMI S (Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN) ,  MASUMOTO T (Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN) ,  MITANI S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIMORI H (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (J Magn Magn Mater)
Volume： 188  Issue： 1/2  Page： 30-34  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： H0644A  ISSN： 0304-8853  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistance effect ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Terms in the title (7)： 非金属 ,  グラニュラ薄膜 ,  トンネル ,  磁気抵抗 ,  低磁場 ,  応答 ,  増強