Art

J-GLOBAL ID：200902187877525575   Reference number：98A0507646

Evidence for misfit dislocation-related carrier accumulation at the InAs/GaP heterointerface.

InAs/GaPヘテロ界面における不整合転位に関係するキャリア蓄積の証拠

Author (4)： GOPAL V (Purdue Univ., Indiana) ,  KVAM E P (Purdue Univ., Indiana) ,  CHIN T P (Purdue Univ., Indiana) ,  WOODALL J M (Purdue Univ., Indiana)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 72  Issue： 18  Page： 2319-2321  Publication year： May. 04, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0507646&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： InAs ,  GAP ,  ヘテロ界面 ,  不整合転位 ,  キャリア蓄積 ,  証拠