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J-GLOBAL ID：200902188062425238   Reference number：02A0577927

Ammonia-molecular-beam epitaxial growth and optical properties of GaN/AlGaN quantum wells.

GaN/AlGaN量子井戸のアンモニア分子線エピタクシー成長と光学的性質

Author (5)： TANG H (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  WEBB J B (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  SIKORA P (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  RAYMOND S (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  BARDWELL J A (National Res. Council, Ontario, CAN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 91  Issue： 12  Page： 9685-9688  Publication year： Jun. 15, 2002 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： carrier ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： GaN ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  アンモニア ,  分子線エピタクシー成長 ,  光学的性質