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J-GLOBAL ID：200902188068583099   Reference number：97A0328770

Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/GaN double heterostructures in the entire alloy composition.

全アロイ組成におけるInGaN厚膜の相分離とInGaN/GaN二重ヘテロ構造の形成

Author (4)： SINGH R (Boston Univ., Massachusetts) ,  DOPPALAPUDI D (Boston Univ., Massachusetts) ,  MOUSTAKAS T D (Boston Univ., Massachusetts) ,  ROMANO L T (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 70  Issue： 9  Page： 1089-1091  Publication year： Mar. 03, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： アロイ組成 ,  InGaN ,  厚膜 ,  相分離 ,  GaN ,  ヘテロ構造