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J-GLOBAL ID：200902188318205060   Reference number：98A0810897

Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation.

低速イオン注入による炭化けい素の水素パツシベーション

Author (6)： ACHTZIGER N (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  GRILLENBERGER J (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  WITTHUHN W (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  LINNARSSON M K (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  JANSON M (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  SVENSSON B G (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 7  Page： 945-947  Publication year： Aug. 17, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion implantation ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (4)： 低速 ,  イオン注入 ,  炭化けい素 ,  水素