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J-GLOBAL ID：200902189718954875   Reference number：93A0344204

Preparation and Properties of Tantalum Oxide Films by Sol-Gel Method.

ゾルゲル法による五酸化タンタル膜の合成と性質

Author (3)： OISHI TOMOJI (日立 日立研) ,  NAKAZAWA TETSUO (日立 日立研) ,  KATO AKIRA (日立 日立研)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
Volume： 76  Issue： 3  Page： 85-93  Publication year： Mar. 1993 
JST Material Number： L0196A  ISSN： 0915-1907  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： sol-gel process ,...
Semi thesaurus term： SEM ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Reference (11)：

• MACKENZIE, J. D. Application of Sol - Gel Methods for Glass and Ceramic Processing. Ultrastruct. Processing of Ceramics, Glasses and Composites. 1984, 15
• 神谷寛一. 新しい機能材料へのゾルゲル法の応用. 電気化学セミナー講演集. 1985
• 津久井勤. 電子デバイス絶縁. 電気評論. 1190, 1992
• 岡田勝. CVD及びスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質. 電気化学. 1985, 53, 109
• NISHIOKA, Y. Dielectric Characteristics of Double Layer Structure of Extremely Thin Ta_2O_5 /SiO_2 Film on Si. J. Electrochem. Soc. 1987, 34, 410

Terms in the title (4)： ゾルゲル法 ,  酸化 ,  タンタル膜 ,  性質