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J-GLOBAL ID：200902189855723783   Reference number：01A0650325

High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations.

高κゲート誘電体 現状と材料特性の考察

Author (3)： WILK G D (Agere Systems, New Jersey) ,  WALLACE R M (Univ. North Texas, Texas) ,  ANTHONY J M (Univ. South Florida, Florida)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 89  Issue： 10  Page： 5243-5275  Publication year： May. 15, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gate(semiconductor) ,...
Semi thesaurus term： gate dielectric ,...

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JST classification (3)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (3)： 高κゲート誘電体 ,  現状 ,  材料特性