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J-GLOBAL ID：200902189893548880   Reference number：00A0369735

ゾル・ゲル法による不揮発性強誘電体メモリの低温合成

Author (4)： SHOYAMA MASASHI (三重県窯業セ) ,  TSUZUKI AKIHIRO (名古屋工技研) ,  KATO KAZUMI (名古屋工技研) ,  MURAYAMA NORIMITSU (名古屋工技研)
Material： 三重県工業技術総合研究所研究報告  (Reports of the Mie Industrial Research Institute)
Issue： 23  Page： 95-100  Publication year： Dec. 06, 1999 
JST Material Number： Z0229B  ISSN： 1345-1871  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (4)： ゾル・ゲル法 ,  不揮発性 ,  強誘電体メモリ ,  低温合成