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J-GLOBAL ID：200902190081359631   Reference number：94A0463797

Polarization dependence of light emitted from GaAs p-n junctions in quantum wire crystals.

量子細線中のGaAsのp-n接合から放出された光の偏光依存性

Author (3)： HARAGUCHI K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KATSUYAMA T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  HIRUMA K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 75  Issue： 8  Page： 4220-4225  Publication year： Apr. 15, 1994 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum wire ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： 量子細線 ,  GaAs ,  p-n接合 ,  放出 ,  偏光依存性