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J-GLOBAL ID：200902190195468023   Reference number：00A0437409

Application of one-bond-type migration to interstitialcy-type self-interstitial and phosphorus in silicon.

Author (5)： YOSHIDA M (Yoshida Semiconductor Lab., Fukuoka, JPN) ,  KAMIURA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  TSURUNO R (Kyushu Inst. Design, Fukuoka, JPN) ,  TAKAHASHI M (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  TOMOKAGE H (Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 210  Issue： 1/3  Page： 128-131  Publication year： Mar. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)