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J-GLOBAL ID：200902190316056550   Reference number：96A0194528

Novel nitride materials: III-(N,V) alloy semiconductors.

III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性 GaN_xAs_1-xを例にとって

Author (2)： KONDO MASAHIKO (日立 中研) ,  UOMI KAZUHISA (日立 中研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 65  Issue： 2  Page： 148-152  Publication year： Feb. 1996 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： solid solution ,...
Semi thesaurus term： group 3B element complound

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (22)：

• SATO, M. 19th Int. Symp. GaAs and Related Compound Semiconductors, Karuizawa, 1992, Inst. Phys. Conf. Ser. 1993, 129, 555
• BAILLARGEON, J. N. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2540
• IGARASHI, O. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 3791
• OHKOUCHI, N. 12th Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symp., Izu-Nagaoka, 1993. 1993, 337
• MIYOSHI, S. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 3506

Terms in the title (5)： 混晶半導体 ,  物性 ,  光素子 ,  応用 ,  可能性