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J-GLOBAL ID：200902190782049157   Reference number：01A0976263

Fabrication of strained Si on an ultrathin SiGe-on-insulator virtual substrate with a high-Ge fraction.

高いGe組成比を持つ非常に薄い絶縁体上のSiGe擬基板上の歪みSiの作製

Author (3)： TEZUKA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 12  Page： 1798-1800  Publication year： Sep. 17, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： Ge ,  組成比 ,  絶縁体 ,  SiGe ,  歪み ,  Si ,  作製