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J-GLOBAL ID：200902190839222861   Reference number：02A0332844

Strong Dependence of the Inversion Mobility of 4H and 6H SiC(0001) MOSFETs on the Water Content in Pyrogenic Re-Oxidation Annealing.

4Hおよび6H SiC(0001) MOSFETの反転層移動度の,焼成再酸化アニーリング時の水分含有量に対する強い依存性

Author (6)： KOSUGI R (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body(UPR), Ibaraki, JPN) ,  OKAMOTO M (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  HARADA S (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SENZAKI J (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 23  Issue： 3  Page： 136-138  Publication year： Mar. 2002 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： SiC ,  MOSFET ,  反転層 ,  移動度 ,  焼成 ,  再酸化 ,  アニーリング ,  水分含有量 ,  依存性