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J-GLOBAL ID：200902191008000680   Reference number：01A0788407

Report on the growth of bulk aluminum nitride and subsequent substrate preparation.

バルク窒化アルミニウムの成長とその後の基板作製に関する報告

Author (6)： ROJO J C (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  SLACK G A (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  MORGAN K (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  RAGHOTHAMACHAR B (SUNY, NY, USA) ,  DUDLEY M (SUNY, NY, USA) ,  SCHOWALTER L J (Crystal IS, Inc., NY, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 231  Issue： 3  Page： 317-321  Publication year： Oct. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： バルク ,  窒化アルミニウム ,  成長 ,  作製 ,  報告