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J-GLOBAL ID：200902191335315725   Reference number：00A0114662

CW Operation of AlGaInN-GaN Laser Diodes.

AlGaInN-GaNレーザダイオードのCW動作

Author (9)： ASANO T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  YANASHIMA K (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  ASATSUMA T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  HINO T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  TOMIYA S (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  FUNATO K (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IKEDA M (Sony Corp., Yokohama, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Phys Status Solidi A)
Volume： 176  Issue： 1  Page： 23-30  Publication year： Nov. 16, 1999 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 0031-8965  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (3)： GaN ,  レーザダイオード ,  CW