Art

J-GLOBAL ID：200902191491798213   Reference number：98A0793836

Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterisation.

バルクとホモエピタキシャルGaN成長と特性評価

Author (1)： POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 153-158  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： バルク ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  成長 ,  特性評価