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J-GLOBAL ID：200902192401196712   Reference number：02A0179161

A Novel Self-Aligned Double-Gate TFT Technology.

新規な自己整合型二重ゲートTFT技術

Author (4)： ZHANG S (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  HAN R (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SIN J K O (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG) ,  CHAN M (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 11  Page： 530-532  Publication year： Nov. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 自己整合 ,  二重ゲート ,  TFT