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J-GLOBAL ID：200902193718041338   Reference number：98A0278431

Structural origin of V-defects and correlation with localized excitonic centers in InGaN/GaN multiple quantum wells.

V欠陥の構造的起源およびInGaN/GaN多重量子井戸中の局在励起子中心との相関

Author (9)： WU X H (Univ. California, California) ,  ELSASS C R (Univ. California, California) ,  ABARE A (Univ. California, California) ,  MACK M (Univ. California, California) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  PETROFF P M (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California) ,  ROSNER S J (Hewlett-Packard Lab., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 72  Issue： 6  Page： 692-694  Publication year： Feb. 09, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...

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JST classification (3)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： 欠陥 ,  起源 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  励起子 ,  相関