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J-GLOBAL ID：200902193871227696   Reference number：99A0390420

Electrical Properties and Interface Chemistry in the Ti/3C-SiC System.

Ti/3C-SiC系の電気的性質と界面化学

Author (3)： TOUATI F (Fac. Technol. Dammam, Eastern Province, SAU) ,  TAKEMASA K (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SAJI M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 46  Issue： 3  Page： 444-448  Publication year： Mar. 1999 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： interface reaction

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： Ti ,  3C-SiC ,  電気的性質 ,  界面化学