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J-GLOBAL ID：200902194120000862   Reference number：97A0473177

Resonant tunneling through a self-assembled Si quantum dot.

自己集合Si量子ドットを通した共鳴トンネル現象

Author (4)： FUKUDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  NAKAGAWA K (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 70  Issue： 17  Page： 2291-2293  Publication year： Apr. 28, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： self organization system ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (5)： 自己集合 ,  Si ,  量子ドット ,  共鳴 ,  トンネル現象