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J-GLOBAL ID：200902195093162878   Reference number：99A0341416

Sub-40nm PtSi Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

サブ40nm PtSi Schottkyソース/ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Author (3)： WANG C (EG&G Reticon, California) ,  SNYDER J P (Spinnaker Semiconductor, Minnesota) ,  TUCKER J R (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 74  Issue： 8  Page： 1174-1176  Publication year： Feb. 22, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： platinum base alloy ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： サブ ,  ソース ,  ドレイン ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ