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J-GLOBAL ID：200902195388307185   Reference number：93A0878718

Lateral modulations in zero-net-strained GaInAsP multilayers grown by gas source molecular-beam epitaxy.

気体ソース分子ビームエピタクシーで成長させた正味の歪みが零のGaInAsP多重層における横方向変調

Author (5)： PONCHET A (LOE-CNRS, Toulouse, FRA) ,  ROCHER A (LOE-CNRS, Toulouse, FRA) ,  EMERY J-Y (Alcatel Alshom Recherche, Marcoussis, FRA) ,  STARCK C (Alcatel Alshom Recherche, Marcoussis, FRA) ,  GOLDSTEIN L (Alcatel Alshom Recherche, Marcoussis, FRA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 74  Issue： 6  Page： 3778-3782  Publication year： Sep. 15, 1993 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (9)： 気体 ,  ソース ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  歪み ,  GaInAsP ,  多重層 ,  横方向 ,  変調