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J-GLOBAL ID：200902195568344747   Reference number：99A0459418

Effects of Annealing in an Oxygen Ambient on Electrical Properties of Ohmic Contacts to p-Type GaN.

p型GaNへのオーミックコンタクトの電気的性質への酸素雰囲気中アニール処理の効果

Author (7)： KOIDE Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MAEDA T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  UEMURA T (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  SHIBATA N (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  MURAKAMI M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 28  Issue： 3  Page： 341-346  Publication year： Mar. 1999 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： GaN ,  オーミックコンタクト ,  電気的性質 ,  酸素雰囲気 ,  アニール処理