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J-GLOBAL ID：200902195584774298   Reference number：02A0099683

Intrinsic gap emission and its geometry dependence of thin-film CdS excited by two-photon sbsorption.

二光子吸収によって励起されたCdS薄膜の真性バンドギャップ発光とその配置依存性

Author (3)： ULLRICH B (Bowling Green State Univ., OH, USA) ,  SCHROEDER R (Bowling Green State Univ., OH, USA) ,  SAKAI H (Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 16  Issue： 12  Page： L89-L92  Publication year： Dec. 2001 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cadmium sulfide ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 二光子吸収 ,  励起 ,  CdS ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  依存性