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J-GLOBAL ID：200902195864940010   Reference number：02A0432688

Extremely High-Speed Lattice-Matched InGaAs/InAlAs High Electron Mobility Transistors with 472 GHz Cutoff Frequency.

472GHzの遮断周波数の超高速格子整合InGaAs/InAlAs高電子移動度トランジスタ

Author (7)： SHINOHARA K (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA Y (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  ENDOH A (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HIKOSAKA K (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  MATSUI T ,  MIMURA T (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HIYAMIZU S (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 4B  Page： L437-L439  Publication year： Apr. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• 1) T. Suemitsu, T. Ishii, H. Yokoyama, Y. Umeda, T. Enoki, Y. Ishii and T. Tamamura: Proc. IEDM Tech. Dig. 1998 (San Francisco, 1998) p. 223.
• 2) T. Suemitsu, T. Ishii and Y. Ishii: IEICE Trans. Electron. E84-C (2001) 1283.
• 3) Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 367.
• 4) K. Shinohara, Y. Yamashita, A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, T. Mimura and S. Hiyamizu: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 507.
• 5) K. Shinohara, Y. Yamashita, K. Hikosaka, N. Hirose, M. Kiyokawa, T. Matsui, T. Mimura and S. Hiyamizu: Proc. Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symp. 2000 (Paris, 2000) p. 252.

Terms in the title (5)： 遮断周波数 ,  格子整合 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  高電子移動度トランジスタ