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J-GLOBAL ID：200902195866393629   Reference number：93A0977144

Device parameter analysis for direct replacement of thyratrons with MAGTs.

MAGT(MOS支援ゲートトリガサイリスタ)を使ってサイラトロンを直接置き換えるための素子パラメータの解析

Author (4)： SHINOHE T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MINAMI Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SATO S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHASHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993  (Proc 5th Int Symp Power Semicond Devices ICs 1993)
Page： 77-81  Publication year： 1993 
JST Material Number： K19930580  ISBN： 0-7803-1314-3  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thyristor ,...
Semi thesaurus term： MAGT

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JST classification (1)： Thyristors  (NC03060C)

Terms in the title (5)： MOS ,  支援 ,  サイラトロン ,  パラメータ ,  解析