Art

J-GLOBAL ID：200902195932567447   Reference number：97A0872860

Pulsed operation lasing in a cleaved-facet InGaN/GaN MQW SCH laser grown on 6H-SiC.

6H-SiC上成長へき開端面InGaN/GaN SCHレーザにおけるパルスレーザ発光動作

Author (9)： BULMAN G E (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  DOVERSPIKE K (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  SHEPPARD S T (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  WEEKS T W (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  KONG H S (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  EDMOND J A (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  BROWN J D (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SWINDELL J T (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SCHETZINA J F (North Carolina State Univ., NC, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 33  Issue： 18  Page： 1556-1557  Publication year： Aug. 28, 1997 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0872860&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (8)： 6H-SiC ,  成長 ,  へき開 ,  InGaN ,  GaN ,  レーザ ,  パルス ,  レーザ発光