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J-GLOBAL ID：200902196016683101   Reference number：01A0523874

High-Quality Oxide/Nitride/Oxide Gate Insulator for GaN MIS Structures.

GaN MIS構造のための高品質オキサイド/ナイトライド/オキサイド・ゲート絶縁膜

Author (4)： GAFFEY B (Yale Univ., CT, USA) ,  GUIDO L J (Yale Univ., CT, USA) ,  WANG X W (Yale Univ., CT, USA) ,  MA T P (Yale Univ., CT, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 3  Page： 458-464  Publication year： Mar. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： ジェット気相成長 ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： GaN ,  MIS構造 ,  高品質 ,  オキサイド ,  ナイトライド ,  ゲート絶縁膜