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J-GLOBAL ID：200902197520412590   Reference number：01A1065522

Stabilization mechanism of Si(111) 7×7 domain growth: Important role of shared corner-holes.

Si(111)7×7ドメイン成長の安定化機構 共有するコーナホールの重要な役割

Author (3)： SHIMADA W (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Sapporo, JPN) ,  KATO T (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  TOCHIHARA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 491  Issue： 1/2  Page： L663-L669  Publication year： Sep. 20, 2001 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： Si ,  ドメイン ,  成長 ,  安定化機構 ,  共有 ,  コーナ ,  ホール ,  役割