Art

J-GLOBAL ID：200902198568892476   Reference number：97A0514794

Mobility enhancements in AlGaN/GaN/SiC with stair-step and graded heterostructures.

階段型および傾斜型ヘテロ構造のAlGaN/GaN/SiCにおける移動度の増加

Author (6)： LIN C F (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHENG H C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG J A (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FENG M S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  GUO J D (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHI G C (National Central Univ., Chungli, TWN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 70  Issue： 19  Page： 2583-2585  Publication year： May. 12, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： heterojunction ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： 階段型 ,  傾斜型 ,  ヘテロ構造 ,  AlGaN ,  GaN ,  SiC ,  移動度